受日本出台半导体出口管制措施影响，今日半导体设备、光刻胶、存储芯片等板块表现不错。
截至发稿，光刻胶板块，容大感光20CM涨停，格林达涨停，南大光电、晶瑞电材涨超8%。
(资料图片仅供参考)
半导体设备板块，富乐德20CM涨停，耐科装备、华海清科涨超8%，盛美上海、芯源微、长川科技、拓荆科技等跟涨。
存储芯片板块，朗科科技触及20CM涨停，万润科技、睿能科技、恒烁股份涨停，大为股份、江波龙涨超6%。
日本限制半导体设备出口
5月23日，日本经济产业省发布省令，正式出台针对23种半导体制造设备（或物项）的出口管制措施，并将于7月23日开始实施。
虽然该管制措施并未把中国等指定为限制对象，但追加的23个品类除了向友好国等42个国家和地区出口外，均需要单独得到批准。事实上，这意味着这些品类很难向中国等国家出口。
23个品类包括清洗、热处理、蚀刻等设备，以及极紫外（EUV）相关产品的制造设备和三维堆叠存储器的蚀刻设备等。按运算用逻辑半导体的性能来看，均属于制造10-14纳米以下的尖端产品所需设备。
据中信证券梳理，23种半导体制造设备（或物项）主要包括：
1）光刻（4项）：ArF浸没式光刻机、用于EUV光刻的涂胶显影设备、用于EUV光刻的光罩护膜（清单中唯一一种非设备品种，用于EUV光罩的配套）及其生产设备。其中EUV光刻机（仅荷兰ASML提供）的采购国内长期受限，日本限制EUV配套产品没有实质影响，而ArF浸没式光刻机日本尼康有相关产品，未来需观察许可实际发放情况。
2）刻蚀（3项）：高深宽比刻蚀、硅锗刻蚀等。
3）薄膜沉积（11项）：用于钴、钨、钼、钌等金属薄膜、Contact层、Low-k等介质、掩膜版、硅和硅锗外延等沉积的PVD/CVD/ALD/EPI薄膜沉积设备。
4）热处理（1项）：用于铜、钴、钨的低压退火设备。
5）清洗（3项）：铜膜清洗、干法清洗、晶圆改性后干燥的单片湿法清洗。
6）检测（1项）：EUV光刻掩膜版检测设备。
其实早在今年3月，就有日本限制半导体出口的消息，如今算是正式落地了。
3月31日，日本经济产业大臣西村康稔宣布，日本将修订出口管制令，包括先进的半导体制造设备在内的23种物品将被列入受出口管制的物品清单。
再加上此前荷兰限制高端光刻机出口，可以说，自主安全对于中国半导体行业来说越发重要，国产替代势在必行。
此外，日前，国家网信办发布公告，美光在华销售的产品未通过网络安全审查。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。这在一定程度上也加速存储芯片国产化。
国产替代加速
对于日本本次出台的政策，中信证券认为，本次出口限制主要针对先进半导体制造，否则若日本对华成熟芯片相关的半导体设备也实际施加限制，则将会影响日本相关设备公司的营收，长期削弱日本在半导体设备领域的份额优势，同时中国本土技术生态链有望在重压下加速本土替代。
从产业安全角度，中信证券建议，重点关注设备、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”环节，有望获得政策推动。短期来看，建议关注日本及荷兰厂商占有领先地位的、并能够实现国产替代的设备/材料环节；长期来看，建议关注受益国产替代加速的设备、零部件、材料、高端芯片等各环节的相关公司。
1）半导体设备/零部件：芯源微、中微公司、拓荆科技、北方华创、富创精密、盛美上海、华海清科、精测电子、至纯科技、华峰测控、长川科技等；
2）封测：长电科技、通富微电、甬矽电子、华天科技等；
3）高端芯片：龙芯中科、海光信息、寒武纪、景嘉微等；
4）制造：中芯国际（A/H）、华虹半导体（H）等。
浙商证券认为，半导体产业链自主可控是长期主线，设备及零部件国产替代迎来加速期，并预计今年半导体行业资本开支上行，设备订单有望超市场预期，国产设备获得大规模验证机会，国产化率有望加速提升。建议关注美日荷占据领先地位且国产化率较低的环节，如涂胶显影、原子层沉积、离子注入、量测设备等。
